大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　北京银行营业时间，北京银行营业时间周六周日g>美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造北京银行营业时间，北京银行营业时间周六周日(zào)成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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