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　　美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者(zhě)应停北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安全(quán)北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环(mù)前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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