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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(b拔冗莅临是什么意思boronnijijiao，拔冗莅临是什么意思？ 词语ào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的(de)拔冗莅临是什么意思boronnijijiao，拔冗莅临是什么意思？ 词语孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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