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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安5公里世界纪录多少 5公里世界纪录是几分钟(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电5公里世界纪录多少 5公里世界纪录是几分钟子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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