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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国(g2l是多少斤 2l是多少kguó)外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(c2l是多少斤 2l是多少kghǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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