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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场(c湖南信息学院是几本公办的吗，湖南信息学院是几本,学费多少hǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(湖南信息学院是几本公办的吗，湖南信息学院是几本,学费多少quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cú湖南信息学院是几本公办的吗，湖南信息学院是几本,学费多少n)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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