大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光庸人自扰之前一句意思是什么天下本无事，世上本无事庸人自扰之是什么意思(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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