大家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)凤凰男能嫁吗，凤凰男的八大特征和交往原则对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购凤凰男能嫁吗，凤凰男的八大特征和交往原则(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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