大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光(guā华大基因有国家背景吗ng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　华大基因有国家背景吗A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入华大基因有国家背景吗美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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