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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zcampus是什么意思 campus是国誉吗i)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到campus是什么意思 campus是国誉吗3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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