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　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措江苏高考为啥用全国卷，全国高考看江苏下一句施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85江苏高考为啥用全国卷，全国高考看江苏下一句％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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