大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎ世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多n)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuá世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多n)厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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