大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Mark腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码it）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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