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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)充电宝100wh等于多少毫安国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(充电宝100wh等于多少毫安yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子(充电宝100wh等于多少毫安zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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