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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司敬请届时光临是什么意思，万望届时光临是什么意思#ff0000; line-height: 24px;'>敬请届时光临是什么意思，万望届时光临是什么意思(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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