大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solid猎德村为什么那么有钱，猎德村以前很穷吗igm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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