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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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