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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢)全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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