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悔辱的意思解释,悔辱的意思和拼音是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

  美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

  据(jù)网信办消息,日(rì)前,网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患(huàn),对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ),网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

  此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查,目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全(quán),防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)风险,维护(hù)国家安(ān)全,依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法》,网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的(de)产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu),也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降,至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分(fē悔辱的意思解释,悔辱的意思和拼音是什么n)别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē),确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性,巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势,公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAN悔辱的意思解释,悔辱的意思和拼音是什么D时代(dài),2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤,同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单,设备国产化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng),以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华海清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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