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娱乐圈睡得最多的女星,娱乐圈中睡男人最多的女明星

娱乐圈睡得最多的女星,娱乐圈中睡男人最多的女明星 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则(zé)突发消息(xī)。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī),我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

  此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险,维护国家安全,依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》,网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》,对(duì)美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络(luò)安(ān)全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头,也是全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降,至少已经不是主要大供应商。

  娱乐圈睡得最多的女星,娱乐圈中睡男人最多的女明星公告显示, 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前娱乐圈睡得最多的女星,娱乐圈中睡男人最多的女明星江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势,公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有(yǒu)券商此前就分析(xī),如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(娱乐圈睡得最多的女星,娱乐圈中睡男人最多的女明星yì)步骤(zhòu),同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo),催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单,设备国产化进程加速(sù),看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司(sī)份额提升,以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增(zēng)长。

 

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