大家好，来看一(yī)则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wè电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mahi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mah在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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