大家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù广药董事长什么级别，广药集团董事长是什么级别)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76广药董事长什么级别，广药集团董事长是什么级别％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jià广药董事长什么级别，广药集团董事长是什么级别ng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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