大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依北京市有几个区，北京市有几个区,都叫什么法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络北京市有几个区，北京市有几个区,都叫什么安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为北京市有几个区，北京市有几个区,都叫什么最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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