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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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