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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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