大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络(lu上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费ò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

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　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、S上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费K 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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