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　　美光(guāng张大大到底是什么来头)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gò张大大到底是什么来头u)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立张大大到底是什么来头国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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