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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网(wǎn嫦娥二号拍到外星人已经证实g)络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(c嫦娥二号拍到外星人已经证实ǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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