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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 N公杂费包括哪些费用，公杂费包括哪些日用品AND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)公杂费包括哪些费用，公杂费包括哪些日用品约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Y公杂费包括哪些费用，公杂费包括哪些日用品nm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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