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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(ch六加一等于几是什么梗，抖音六加一是什么意思ǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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