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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人杨梅是高糖还是低糖，杨梅是高糖还是低糖水果民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(杨梅是高糖还是低糖，杨梅是高糖还是低糖水果měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长杨梅是高糖还是低糖，杨梅是高糖还是低糖水果(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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