大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查，破晓是什么意思 破晓和拂晓分别是几点目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(gu破晓是什么意思 破晓和拂晓分别是几点ān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zà破晓是什么意思 破晓和拂晓分别是几点o)成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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