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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占均码一般是什么码，均码一般是什么码数比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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