大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiā大学老师最怕什么部门举报o)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法大学老师最怕什么部门举报》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网大学老师最怕什么部门举报(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 大学老师最怕什么部门举报