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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guā安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方x;'>安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方ng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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