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回复好和好的的区别在哪里,好,好的区别

回复好和好的的区别在哪里,好,好的区别 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突(tū)发(fā)消息(xī)。

  美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

  据网(wǎng)信办消息回复好和好的的区别在哪里,好,好的区别(xī),日前,网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患,对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险,影响我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规,我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全(quán),是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放,只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú),欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称(chēng),为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全,防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》,网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经不是主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告显示(shì), 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势,公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)回复好和好的的区别在哪里,好,好的区别厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75%。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单,设备(bèi)国(guó)产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆(jīng)科技(jì)(薄(báo)膜沉(chén)积)等(děng)相(xiāng)关公司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长。

 

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