大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措全都是泡沫下一句套路是什么，全都是泡沫的下一句套路答案施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等全都是泡沫下一句套路是什么，全都是泡沫的下一句套路答案(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储全都是泡沫下一句套路是什么，全都是泡沫的下一句套路答案晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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