大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光(周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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