大家好，来(lái)看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在1039违章代码是什么意思 1039违章代码扣分吗华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(1039违章代码是什么意思 1039违章代码扣分吗cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露1039违章代码是什么意思 1039违章代码扣分吗过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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