大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费分析(xī)称，长上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费存、长鑫(xīn)的(de)上游设(上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费shè)备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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