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小明王是谁的后代 小明王是男是女

小明王是谁的后代 小明王是男是女 半导体突发!中国出手:停止采购!

小明王是谁的后代 小明王是男是女>  大家(jiā)好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美(měi)光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zh小明王是谁的后代 小明王是男是女òng)小明王是谁的后代 小明王是男是女大安全风(fēng)险,影响我(wǒ)国国家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规,我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

  此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查,目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全,是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放,只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  3月31日(rì),中国网信(xìn)网发(fā)文称,为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全,防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险,维护国家安全,依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM (内存)市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中,江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经不是主要(yào)大(dà)供应商。

  公(gōng)告(gào)显示(shì), 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng),采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固(gù)公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势,公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析,如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制,或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì),国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限制名(míng)单,设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升(shēng),以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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