大(dà)家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎ泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏 #ff0000; line-height: 24px;'>泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏n)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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