大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥pan style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推二氧化硫与溴水反应方程式和离子方程式，二氧化硫与溴水反应方程式双线桥进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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