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　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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