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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。10的负3次方等于多少 10的负3次方平方厘米等于多少平方米trong>为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息10的负3次方等于多少 10的负3次方平方厘米等于多少平方米基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。