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回族女人为什么离婚少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

  美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

  据(jù)网信办消(xiāo)息,日前,网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

  审查发现(xiàn),美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患,对我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国(guó)家安全。为此,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息基础设施的回族女人为什么离婚少(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司产回族女人为什么离婚少品进行网络(luò)安全审查,目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全,是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中国网信(xìn)网发(fā)文称,为保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全,防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风险,维护(hù)国家安(ān)全,依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

  半(bàn)导(dǎo)体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业龙头,也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī),2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示(shì), 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商,采购约(yuē)31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性,巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势,公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制,或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分(fēn)析称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu),同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生更回族女人为什么离婚少多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75%。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单,设备国(guó)产化进程加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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