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　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市贵州海拔高度是多少场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guān贵州海拔高度是多少g)等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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