大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大家长意见怎么写最简单家长评语20字，家长意见怎么写最简单 家长评语20字以内存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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