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_D是什么意思,_3是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则(zé)突发消息。

  美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

  审查发(fā)现,美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn),对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规,我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

  此次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全,是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng),只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú),欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出(chū)手(shǒu):停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网(wǎng)信(xìn)网发文称,为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán),防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全(quán)风险,维护国家安全,依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品(p_D是什么意思,_3是什么意思ǐn)实施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出(chū)手(shǒu):停(tíng)止采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司(sī)中,江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

  美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降,至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē),确保存储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优势,公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì),或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设(_D是什么意思,_3是什么意思shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可(kě)能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露,薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单,设备国(guó)产(chǎn)化进程加速,看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng),以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长_D是什么意思,_3是什么意思

 

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