大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来岳飞满江红多少字不含标点，岳飞《满江红》多少字加标点可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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